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碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP化学机械抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化…
2024-01-30 09:36类目：五金

碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液http://www.jzdz-wx.com/和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘…
2024-01-29 14:15类目：五金

SIC碳化硅的化学机械抛光工艺

碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。SiC…
2024-01-27 09:56类目：五金

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