SIC碳化硅的化学机械抛光工艺

碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。

SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除：

机械抛光：简单但会残留划痕，适用于初抛；

化学机械抛光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化学腐蚀去除划痕，适用于精抛；

氢气刻蚀：设备复杂，常用于HTCVD过程；

等离子辅助抛光：设备复杂，不常用。

SiC的CMP抛光工艺需要用到Sic抛光液和抛光垫。

抛光液是均匀分散胶粒乳白色胶体，主要起到抛光、润滑、冷却的作用。主要变量包括磨料（粒径及分布、硬度、形状）、试剂（氧化剂、pH调节剂、分散剂、表面活性剂）、工艺（供给速率、温度）。

抛光垫是表面带有特殊沟槽的多孔材料，主要作用是存储和传输CMP抛光液、对晶片提供一定的压力并对其表面进行机械摩擦。

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