碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液http://www.jzdz-wx.com/和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。

碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。

碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。

碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精抛一般采用氧化硅抛光液配合专用精抛垫，采用物理化学的抛光方式（CMP）达到半导体级别的表面精度和高平坦度。

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