碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP化学机械抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。

碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。

碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。

吉致电子http://www.jzdz-wx.com/碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光洁度。可使碳面与硅面的抛光速率接近，甚至使硅面的抛光速率大于碳面的抛光速率，并且不影响晶片几何。吉致电子半导体抛光液与抛光垫组合可实现晶圆、衬底的双面研磨、粗抛、精抛。达到碳化硅衬底表面平坦化。

碳化硅衬底抛光液是均匀分散的液体，主要起到抛光、润滑、冷却的作用。粒径分布均匀不沉淀、不结晶。高抛光速率的抛光液配方，快速高效同时保持均匀性、零亚表面损伤和低缺陷/划痕。Slurry抛光液可根据要求设计定制解决方案。

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